目前納米技術的研發(fā)已達到“熾熱”程度，研制納米導線是制造大多數(shù)納米器件和裝置的關鍵因素。納米導線是一種又長又細的導線，通常直徑只有人頭發(fā)絲的萬分之一。
研究人員目前可以調控直徑5納米至幾百納米之間的納米線，而調控的長度可達幾百微米。對半導體硅和化學敏感的氧化錫及像氮化鎵等發(fā)光半導體，都能制成納米導線。加州大學伯克利分校楊培東在改進納米導線特性方面獲得重大進展，被公認為納米導線的先驅。
為了制成納米導線，楊培東他們采用能融化金薄膜或其他金屬的特殊小室，小室中金屬形成納米尺寸的微滴，在微滴上空噴發(fā)諸如硅烷等化學蒸汽，其分子會被分解。短時間內(nèi)，這些分子在融化的微滴上達到超飽和，形成納米晶體。隨著更多的蒸汽分子在金屬微滴上被分解，晶體則長成樹狀。如果在幾百萬個金屬微滴上同時發(fā)生這一過程，科學家則能形成大量的納米線。楊培東等人已制成氮化鎵和氧化鋅納米線“森林”，這些納米線能發(fā)出紫外光，該特性對制造“單片實驗室”十分有用。“單片實驗室”可快速和低成本地分析醫(yī)學、環(huán)境和其他種樣品。目前的難題是制成納米線和其他系統(tǒng)組件之間的電子連件。楊培東估計，目前全世界至少有100個研究小組正集中力量來解決上述問題。去年，英特爾公司已同哈佛大學的利伯合作，納米線成為其計算機芯片開發(fā)長期規(guī)劃的一部分。 |
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